- Code commande RS:
- 220-7491
- Référence fabricant:
- IRFR24N15DTRPBF
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 2000)
0,537 €
HT
0,644 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
---|---|---|
2000 - 2000 | 0,537 € | 1 074,00 € |
4000 + | 0,51 € | 1 020,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7491
- Référence fabricant:
- IRFR24N15DTRPBF
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Les transistors MOSFET de puissance Infineon OptiMOS à canal N sont développés pour augmenter l'efficacité, la densité de puissance et la rentabilité. Conçus pour les applications hautes performances et optimisés pour une haute fréquence de commutation, les produits OptiMOS se convainquent par la meilleure valeur de l'industrie. La gamme de transistors MOSFET de puissance OptiMOS, désormais complétée par un transistor IRFET puissant, crée une combinaison véritablement puissante. Bénéficiez d'une parfaite correspondance de prix/performances robustes et excellents des transistors MOSFET IRFET puissants et de la technologie de pointe des MOSFET OptiMOS. Les deux familles de produits répondent aux normes de qualité et aux exigences de performances les plus élevées. La gamme de joints, couvrant des tensions de 12 à 300 V MOSFET, peut répondre à une large gamme de besoins, des fréquences de commutation faibles à élevées telles que les SMPS, les applications alimentées par batterie, la commande de moteur et les entraînements, les inverseurs et l'informatique.
Faible charge de grille à drain pour réduire
Pertes de commutation
Capacité entièrement caractéristique y compris
COSS efficace pour simplifier la conception (voir
App. Remarque AN1001)
Tension d'avalanche entièrement caractéristique
Et courant
Sans plomb
Pertes de commutation
Capacité entièrement caractéristique y compris
COSS efficace pour simplifier la conception (voir
App. Remarque AN1001)
Tension d'avalanche entièrement caractéristique
Et courant
Sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 24 A |
Tension Drain Source maximum | 150 V |
Série | HEXFET |
Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 0,095 O |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 30V |
Nombre d'éléments par circuit | 2 |
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