MOSFET canal Type P Vishay 90 A 100 V, 3 broches, TO-263 Non
- Code commande RS:
- 180-7421
- Référence fabricant:
- SUM90P10-19L-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7421
- Référence fabricant:
- SUM90P10-19L-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.019Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 97nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.414mm | |
| Longueur | 0.625pouce | |
| Normes/homologations | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.019Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 97nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.414mm | ||
Longueur 0.625pouce | ||
Normes/homologations RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal P, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 19 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 375 W. Il peut être utilisé dans le commutateur latéral principal. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
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