MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET TO-263-3 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 19 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 375 W et d'un courant de drain continu de 90 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Commutateurs de charge
• Ordinateurs portables
Alimentation du système

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007