MOSFET N Infineon 135 A 100 V P, TO-263 iPB

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Code commande RS:
259-2586
Référence fabricant:
IPB043N10NF2SATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

135A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

Surface

Mode de canal

P

Tension directe Vf

1.2V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET de puissance Infineon StrongIRFET 2 sont optimisés pour une large gamme d'applications telles que les SMPS, l'entraînement de moteur, l'alimentation par batterie, la gestion de batterie, les UPS et les véhicules électriques légers. Cette nouvelle technologie offre jusqu'à 40 % d'amélioration de RDS(on) et jusqu'à 60 % de Qg inférieur par rapport aux dispositifs StrongIRFET précédents, ce qui se traduit par un meilleur rendement énergétique pour une meilleure performance globale du système. Des courants nominaux plus élevés permettent une plus grande capacité de transport de courant, ce qui élimine le besoin de plusieurs périphériques en parallèle, ce qui se traduit par une réduction des coûts BOM et des économies de carte.

Large disponibilité auprès des partenaires de distribution

Excellent rapport qualité/prix

Idéal pour les fréquences de commutation élevées et basses

Encombrement standard de l'industrie, boîtier traversant

Intensité nominale élevée

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