Transistor MOSFET Infineon canal P, D2PAK (TO-263) 63 A 100 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 235-4846
- Référence fabricant:
- IPB320P10LMATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
2,598 €
HT
3,118 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,598 € | 2 598,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 235-4846
- Référence fabricant:
- IPB320P10LMATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier DPKAP représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.
Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible
Résiste aux avalanches
Boîtier de montage en surface à encombrement standard
Performances robustes et fiables
Sécurité d'alimentation accrue
Résiste aux avalanches
Boîtier de montage en surface à encombrement standard
Performances robustes et fiables
Sécurité d'alimentation accrue
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 63 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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