MOSFET canal N Infineon 44 A 300 V P, TO-263 iPB

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Code commande RS:
258-3807
Référence fabricant:
IPB407N30NATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

44A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

40.7mΩ

Mode de canal

P

Tension directe Vf

1.2V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET OptiMOS 300 V d'Infineon, qui intègrent la technologie à diode rapide, sont particulièrement optimisés pour la commutation rigide de diode de corps. Les dispositifs démontrent non seulement une résistance à l'état sous tension et un indice de mérite impressionnants, mais fournissent également une haute fiabilité du système grâce à la charge de récupération inverse la plus faible disponible sur le marché. Avec la série OptiMOS 300 V, Infineon apporte un nouveau niveau de performance dans les applications de commutation rigide telles que les télécommunications, les alimentations ininterrompues, les alimentations industrielles, les inverseurs c.c.-c.a. et la commande de moteur.

Robustesse de commutation dure

Comportement de commutation rigide optimisé

Réduction de l'espace sur la carte et des coûts du système

Haute fiabilité du système

Meilleures performances de commutation

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