MOSFET Infineon canal N, PG-TO 263-3 44 A 300 V

Les transistors MOSFET OptiMOS 300 V d'Infineon, qui intègrent la technologie à diode rapide, sont particulièrement optimisés pour la commutation rigide de diode de corps. Les dispositifs démontrent non seulement une résistance à l'état sous tension et un indice de mérite impressionnants, mais fournissent également une haute fiabilité du système grâce à la charge de récupération inverse la plus faible disponible sur le marché. Avec la série OptiMOS 300 V, Infineon apporte un nouveau niveau de performance dans les applications de commutation rigide telles que les télécommunications, les alimentations ininterrompues, les alimentations industrielles, les inverseurs c.c.-c.a. et la commande de moteur.

Robustesse de commutation dure
Comportement de commutation rigide optimisé
Réduction de l'espace sur la carte et des coûts du système
Haute fiabilité du système
Meilleures performances de commutation