Transistor MOSFET Infineon canal P, D2PAK (TO-263) 41 A 150 V, 3 broches

Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier DPKAP représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.

Disponible en 4 boîtiers différents
Large gamme
Niveau normal et niveau logique disponible
Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible
Interface facile avec le microcontrôleur
Faible complexité de conception