MOSFET P Infineon 13.8 A 100 V N, 3 broches, TO-263 iPB

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Code commande RS:
235-4845
Référence fabricant:
IPB19DP10NMATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13.8A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Mode de canal

N

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier DPKAP représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.

Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible

Résiste aux avalanches

Boîtier de montage en surface à encombrement standard

Performances robustes et fiables

Sécurité d'alimentation accrue

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