MOSFET 2 canal Type N Double Vishay 6.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7732
- Référence fabricant:
- SI4946BEY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 180-7732
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- SI4946BEY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.052Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.7W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.052Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.7W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET double canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 41 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 6,5 A et d'une puissance nominale maximale de 3,7 W. Il est doté d'une application dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
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