MOSFET Vishay canal N, SO-8 6,5 A 60 V, 8 broches

Code commande RS:: 180-7732
Référence fabricant:: SI4946BEY-T1-E3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, SO-8 6,5 A 60 V, 8 broches

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1,304 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	1,087 €	10,87 €
100 - 240	1,032 €	10,32 €
250 - 490	0,87 €	8,70 €
500 - 990	0,708 €	7,08 €
1000 +	0,597 €	5,97 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7732
Référence fabricant:: SI4946BEY-T1-E3
Marque:: Vishay

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET double canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 41 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 6,5 A et d'une puissance nominale maximale de 3,7 W. Il est doté d'une application dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	6,5 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SO-8
Série	TrenchFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	0,052 O
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3V
Nombre d'éléments par circuit	2