MOSFET Vishay canal N, SO-8 6,5 A 60 V, 8 broches

Le transistor MOSFET double canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 41 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 6,5 A et d'une puissance nominale maximale de 3,7 W. Il est doté d'une application dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg