MOSFET 2 canal N Double Vishay 6.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7299
- Référence fabricant:
- SI4946BEY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
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- 180-7299
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- SI4946BEY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.052Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.052Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.7W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET double canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 41 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 6,5 A et d'une puissance nominale maximale de 3,7 W. Il est doté d'une application dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
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