MOSFET 2 canal Type P, Type N Double Vishay 5.3 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7294
- Référence fabricant:
- SI4559ADY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7294
- Référence fabricant:
- SI4559ADY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.58Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.4W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.58Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.4W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de Il est doté d'une tension drain-source de 60 V. Il est doté de courants de drain continus de 5,3 A et de 3,9 A. Sa puissance nominale maximale est de 3,4 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité. Il est applicable dans les inverseurs CCFL.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Testé par l'ISU
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