MOSFET de puissance canal N Vishay 5.3 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-8002
- Référence fabricant:
- SI4900DY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,27 €
HT
12,32 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 4 630 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,027 € | 10,27 € |
| 100 - 240 | 0,977 € | 9,77 € |
| 250 - 490 | 0,769 € | 7,69 € |
| 500 - 990 | 0,667 € | 6,67 € |
| 1000 + | 0,544 € | 5,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8002
- Référence fabricant:
- SI4900DY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.058Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.1W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.8mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.35mm | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.058Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.1W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.8mm | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.35mm | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N double TrenchFET série SI4900DY de Vishay Siliconix est doté d'une tension de drain à source de 60 V. Il est utilisé dans les TV LCD et les inverseurs CCFL.
Sans plomb
Sans halogène
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 5.3 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SO-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal N Vishay 9.5 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET 2 canal N Double Vishay 6.5 A 60 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Non
- MOSFET de puissance 2 canal N Isolé Vishay 20 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal N Vishay 126 A 100 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 77.4 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 146 A 80 V Enrichissement SO-8 TrenchFET