MOSFET P Vishay 50 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 787-9342
- Référence fabricant:
- SIR401DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 787-9342
- Référence fabricant:
- SIR401DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 205nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 205nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.26mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 6.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
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