MOSFET P Vishay 7.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 40 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 45 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 4,2 W et d'un courant de drain continu de 7,2 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène

• Commutateur d'adaptateur

ANSI/ESD S20.20:2014