MOSFET P Vishay 29 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7996
- Référence fabricant:
- SI4459ADY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7996
- Référence fabricant:
- SI4459ADY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 129nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 129nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 5 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 7,8 W et d'un courant de drain continu de 29 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateur d'adaptateur
Ordinateur portable
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
UIS Teste
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