MOSFET Vishay canal N/P, SO-8 5,3 A, 3,9 A. 60 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à canal double à montage en surface de Vishay (canaux P et N) est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 58 Mohm à une tension de grille-source de Il est doté d'une tension drain-source de 60 V. Il est doté de courants de drain continus de 5,3 A et de 3,9 A. Sa puissance nominale maximale est de 3,4 W. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité. Il n'est pas applicable dans les inverseurs CCFL.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Testé par l'ISU