MOSFET canal Type P Vishay 5.7 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7759
- Référence fabricant:
- SI7415DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 180-7759
- Référence fabricant:
- SI7415DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.065Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.8W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.065Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.8W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.61mm | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Longueur 3.61mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 65 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 3,8 W et d'un courant de drain continu de 5,7 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Commutation rapide
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• entraînements de moteur demi-pont
Convertisseurs abaisseurs non synchrones haute tension
• Commutateurs de charge
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
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