MOSFET canal Type P Vishay 13.2 A 100 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7804
- Référence fabricant:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7804
- Référence fabricant:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.145Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | 50°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.145Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen 50°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.61mm | ||
Longueur 3.61mm | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC JS709A | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P PowerPAK-1212-8 de Vishay à montage en surface est un produit de nouvelle génération avec une tension de source de drain de 100 V et une tension de source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance de drain-source de 134 mohm à une tension de source de grille de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 52 W et d'un courant de drain continu de 13,2 A. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Il a des applications dans la pince active dans les alimentations c.c./c.c. intermédiaires. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Sans halogène et sans plomb (Pb)
Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille et bas profil de 1,07 mm
La tension de conduite maximale et minimale est de 4,5 V et 10 V.
La puissance de dissipation maximale est de 52 W.
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
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