MOSFET canal Type P Vishay 13.2 A 100 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7804
- Référence fabricant:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7804
- Référence fabricant:
- SI7113DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.145Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | 50°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.145Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen 50°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.61mm | ||
Longueur 3.61mm | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC JS709A | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 134mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 13.2A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the Active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and Lead (Pb) free
• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07mm profile
• Maximum and minimum driving voltage is 4.5V and 10V
• Maximum dissipation power is 52W
• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
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