MOSFET P Vishay 27 A 20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET
- Code commande RS:
- 165-6922
- Référence fabricant:
- SISS23DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 165-6922
- Référence fabricant:
- SISS23DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 27A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 57W | |
| Tension directe Vf | -0.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 195nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 0.78mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 27A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 57W | ||
Tension directe Vf -0.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 195nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.3mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 0.78mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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