MOSFET canal N Vishay 4.8 A 150 V, 8 broches, PowerPAK SO-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7862
- Référence fabricant:
- SI7898DP-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7862
- Référence fabricant:
- SI7898DP-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.085Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.085Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Largeur 5.26mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-SO-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 150 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 85 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 5 W et d'un courant de drain continu de 4,8 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 6 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
Nouveau boîtier PowerPAK à faible résistance thermique avec petite taille et bas profil de 1,07 mm
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• PWM optimisé
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET pour une commutation rapide
Applications
• Commutateurs latéraux primaires d'alimentation c.c./c.c.
• entraînements de moteur industriels
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
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