MOSFET 1 canal N Simple Vishay 60 A 100 V, 8 broches, PowerPAK SO-8 Non
- Code commande RS:
- 180-7355
- Référence fabricant:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 174,00 €
HT
3 810,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,058 € | 3 174,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7355
- Référence fabricant:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0087Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0087Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.26mm | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-SO-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 8,4 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 83 W et d'un courant de drain continu de 60 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET pour une commutation rapide
Applications
Commutateur latéral primaire c.c./c.c.
Sites industriels
• Telecom/serveur 48 V, c.c./c.c. complet/demi-pont
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
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