MOSFET canal Type P Simple Vishay 40 A 30 V, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7310
- Référence fabricant:
- SI7139DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 887,00 €
HT
2 265,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,629 € | 1 887,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7310
- Référence fabricant:
- SI7139DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 00090Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 49.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 48W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 00090Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 49.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 48W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.26mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier PowerPAK-SO-8 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 5,5 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 48 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de batterie
• Commutateurs de charge
• Ordinateurs portables
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type P Simple Vishay 40 A 30 V PowerPAK SO-8 TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay 50 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal Type P Vishay 18 A 30 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal Type P Vishay 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal Type P Simple Vishay 18 A 20 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET N Vishay 64 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 40 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET N Vishay 60 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET