MOSFET canal N Vishay 7.5 A 100 V, PowerPAK SO-8
- Code commande RS:
- 256-7425
- Référence fabricant:
- SIR698DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,74 €
HT
12,89 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 750 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,148 € | 10,74 € |
| 50 - 95 | 2,076 € | 10,38 € |
| 100 - 245 | 1,76 € | 8,80 € |
| 250 - 995 | 1,72 € | 8,60 € |
| 1000 + | 1,262 € | 6,31 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 256-7425
- Référence fabricant:
- SIR698DP-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0095Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0095Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le powerPAK SO-8 sans halogène à montage en surface à canal N de Vishay Semiconductor est conforme à la définition CEI 61249-2-21.
MOSFET de puissance TrenchFET
Testé 100 % Rg et UIS
Faible Qg pour un haut rendement
Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 7.5 A 100 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 30 A 20 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 60 A 30 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 25 A 30 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 33 A 30 V, PowerPAK SO-8
- MOSFET canal N Vishay 34 A 650 V Enrichissement PowerPAK SO-8 SiH