Références fabricant

MOSFET canal Type P Simple Vishay 18 A 20 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non

Code commande RS:: 180-7892
Référence fabricant:: SIS407ADN-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET canal Type P Simple Vishay 18 A 20 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non

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Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,694 €	13,88 €
200 - 480	0,68 €	13,60 €
500 - 980	0,534 €	10,68 €
1000 - 1980	0,43 €	8,60 €
2000 +	0,391 €	7,82 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7892
Référence fabricant:: SIS407ADN-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	18A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Type de Boitier	PowerPAK 1212-8
	Série	TrenchFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.009Ω
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	63nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	39.1W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	8V
	Configuration du transistor	Simple
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	0.79mm
	Largeur	3.61mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	3.61mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 18A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Type de Boitier PowerPAK 1212-8
	Série TrenchFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.009Ω
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 39.1W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 8V
	Configuration du transistor Simple
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 0.79mm
	Largeur 3.61mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 3.61mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET Vishay est un boîtier PowerPAK-1212-8 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 9 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Sa puissance dissipée maximale est de 39,1 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène

Composant sans plomb (Pb)

Boîtier PowerPAK à faible résistance thermique

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications

• Commutateurs d'adaptateur

Gestion de batterie

• Commutateurs de charge

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