MOSFET canal Type P Simple Vishay 18 A 20 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7356
- Référence fabricant:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7356
- Référence fabricant:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.009Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39.1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Hauteur | 790μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.009Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39.1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.61mm | ||
Longueur 3.61mm | ||
Hauteur 790μm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET Vishay est un boîtier PowerPAK-1212-8 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 20 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 9 Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Sa puissance dissipée maximale est de 39,1 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Composant sans plomb (Pb)
Boîtier PowerPAK à faible résistance thermique
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
Gestion de batterie
• Commutateurs de charge
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