MOSFET canal Type P Vishay 18 A 30 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7936
- Référence fabricant:
- SIS413DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
15,40 €
HT
18,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,77 € | 15,40 € |
| 200 - 480 | 0,753 € | 15,06 € |
| 500 - 980 | 0,631 € | 12,62 € |
| 1000 - 1980 | 0,493 € | 9,86 € |
| 2000 + | 0,415 € | 8,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7936
- Référence fabricant:
- SIS413DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0094Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 35.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.61mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.61mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0094Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 35.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.61mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.61mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET Vishay est un boîtier PowerPAK-1212-8 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 30 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 9,4 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 52 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de charge
Informatique mobile
• Gestion de l'alimentation
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type P Vishay 18 A 30 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal Type P Vishay 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET canal Type P Simple Vishay 18 A 20 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay 23 A 30 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 27 A 20 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET
- MOSFET canal Type N Vishay 24.7 A 100 V Enrichissement PowerPAK 1212-8 TrenchFET
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, PowerPAK 1212-8 double TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay -104 A -20 V Enrichissement PowerPAK 1212-8SH TrenchFET