Références fabricant

MOSFET canal Type P Vishay 3.8 A 200 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non

Code commande RS:: 180-7820
Référence fabricant:: SI7119DN-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET canal Type P Vishay 3.8 A 200 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

3,30 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 +	0,33 €	3,30 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7820
Référence fabricant:: SI7119DN-T1-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	3.8A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	PowerPAK 1212-8
	Série	TrenchFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.1Ω
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	50°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	10.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	52W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	3.3mm
	Normes/homologations	IEC 61249-2-21
	Hauteur	1.07mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 3.8A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier PowerPAK 1212-8
	Série TrenchFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.1Ω
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen 50°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 52W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 3.3mm
	Normes/homologations IEC 61249-2-21
	Hauteur 1.07mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 200 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 1 050 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une puissance dissipée maximale de 52 W et d'un courant de drain continu de 3,8 A. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Il est doté d'applications dans la pince active dans les alimentations c.c./c.c. intermédiaires. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène

Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille et bas profil de 1,07 mm

Puissance de dissipation maximale 52 W

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

CEI 61249-2-21

• testé Rg

Testé par l'ISU

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