MOSFET canal Type P Vishay 3.8 A 200 V, 8 broches, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 180-7820
- Référence fabricant:
- SI7119DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7820
- Référence fabricant:
- SI7119DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | 50°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 52W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen 50°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 52W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET PowerPAK-1212-8 à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 200 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 1 050 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une puissance dissipée maximale de 52 W et d'un courant de drain continu de 3,8 A. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Il est doté d'applications dans la pince active dans les alimentations c.c./c.c. intermédiaires. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Boîtier Powerpak à faible résistance thermique avec petite taille et bas profil de 1,07 mm
Puissance de dissipation maximale 52 W
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -50 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Testé par l'ISU
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