MOSFET 1 canal Type P Simple Vishay 1.8 A 400 V, 3 broches, TO-252 Non

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Code commande RS:
180-8772
Référence fabricant:
IRFR9310PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.8A

Tension Drain Source maximum Vds

400V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface, Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7Ω

Charge de porte typique Qg @ Vgs

13nC

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Configuration du transistor

Simple

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS-compliant

Longueur

9.65mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET Vishay, tension drain-source de 400 V, dissipation de puissance de 50 W - IRFR9310PBF


Ce MOSFET est un transistor à canal P conçu pour la commutation haute tension dans les circuits électroniques de puissance. Il est fourni dans un boîtier TO-252 et convient au montage en surface ou par trou traversant, offrant une solution compacte lorsqu'un dispositif de type P est nécessaire pour les applications à haute tension. Le dispositif fonctionne sur une large plage de températures et est conforme aux normes environnementales RoHS.

Caractéristiques et avantages :


• Tension drain-source de 400 V pour une capacité de commutation haute tension
• Rds maximum de 7 Ω pour limiter les pertes de conduction dans les conceptions à faible courant
• Charge de grille typique de 13 nC pour des transitions de commande de grille rapides
• Courant de drain continu de 1,8 A pour des exigences de courant modérées
• Dissipation de puissance maximale de 50 W pour l'espace thermique dans les étages de puissance
• Plage de fonctionnement de -55 à 150 °C pour un déploiement à haute température

Applications


• Convient aux circuits de protection contre la polarité à haute tension
• Idéal pour la commutation high-side à canal P dans les alimentations
• Utilisé avec les drivers de grille nécessitant des dispositifs à faible charge de grille
• Peut être utilisé pour l'électronique de commande industrielle fonctionnant à chaud
• Adapté aux cartes à assemblage mixte combinant des composants à montage en surface et à montage traversant

Quelles sont les options de montage disponibles pour le montage sur les circuits imprimés?


Le dispositif prend en charge les méthodes de montage en surface et de montage traversant pour s'adapter à diverses pratiques d'assemblage de carte.

Comment le dispositif fonctionne-t-il à des températures ambiantes élevées?


Il est conçu pour fonctionner jusqu'à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans les conceptions exposées à une contrainte thermique élevée lorsque une gestion thermique appropriée est appliquée.

Quelles sont les limites de tension d'entraînement de grille à prendre en compte lors de la conception?


La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V, de sorte que les circuits d'entraînement de grille doivent limiter les oscillations dans cette plage.

Ce dispositif est-il composé de plusieurs éléments sur une seule puce?


Il y a un seul élément transistor par circuit, ce qui simplifie les considérations de partage de courant dans les arrangements parallèles.

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