MOSFET canal N Infineon 67 A 100 V P, 3 broches, TO-252 IPD

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
258-3835
Référence fabricant:
IPD12CN10NGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

67A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

IPD

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

12.4mΩ

Mode de canal

P

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

49nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET de puissance OptiMOS d'Infineon offrent des solutions supérieures pour les SMPS à haut rendement et haute densité de puissance. Par rapport à la prochaine meilleure technologie, cette famille réalise une réduction de 30 % de R DS(on) et FOM

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