MOSFET canal N Infineon 67 A 100 V P, 3 broches, TO-252 IPD
- Code commande RS:
- 258-3834
- Référence fabricant:
- IPD12CN10NGATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 330,00 €
HT
1 595,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,532 € | 1 330,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3834
- Référence fabricant:
- IPD12CN10NGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 67A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | IPD | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.4mΩ | |
| Mode de canal | P | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 49nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 67A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série IPD | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.4mΩ | ||
Mode de canal P | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 49nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance OptiMOS d'Infineon offrent des solutions supérieures pour les SMPS à haut rendement et haute densité de puissance. Par rapport à la prochaine meilleure technologie, cette famille réalise une réduction de 30 % de R DS(on) et FOM
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