MOSFET de puissance 1 canal Type P Simple DiodesZetex 6.5 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 Non
- Code commande RS:
- 182-7019
- Référence fabricant:
- DMP2040USD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 182-7019
- Référence fabricant:
- DMP2040USD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 52mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Température minimum de fonctionnement | 150°C | |
| Tension directe Vf | -7V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Température d'utilisation maximum | -55°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Normes/homologations | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 52mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Température minimum de fonctionnement 150°C | ||
Tension directe Vf -7V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Température d'utilisation maximum -55°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Normes/homologations J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Longueur 4.95mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant dexcellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Transistor MOSFET à double canal P
Faible résistance à état passant
Tension de seuil basse de la grille
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique.
Applications
rétroéclairage
Fonctions de gestion de l'alimentation
Convertisseurs c.c.-c.c.
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