MOSFET onsemi canal N, SC-88 910 mA 20 V, 6 broches

Ce double dispositif à canal N a été conçu avec un petit boîtier à encombrement réduit (2 x 2 mm) avec le processus planaire leader d'ON Semiconductor pour un encombrement réduit et un rendement accru. La faible valeur de mérite est particulièrement adaptée pour les appareils alimentés par batterie Li-Ion à une ou deux cellules, tels que les téléphones portables, les lecteurs de média, les appareils photo numériques et les PDA.

Encombrement réduit (2 x 2 mm)
Dispositif à canal N à faible charge de grille
Grille protégée ESD
Même boîtier que SC-70 (6 fils)
Applications :
Commutation de puissance de charge
Dispositifs alimentés par batterie Li-Ion
Conversion c.c.-c.c.