MOSFET Vishay canal N, SC-89-6 500 mA 20 V, 6 broches

Le transistor MOSFET double canal N à montage en surface de Vishay est doté d'une tension source de drain de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 396Mohm à une tension de grille-source de 4,5 V. Sa puissance nominale maximale est de 220 mW. Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 610 mA. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Protection ESD de source de grille : 1 000 V.
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Dispositifs alimentés par batterie
• Conducteurs : relais, solénoïdes, lampes, marteaux, affichages, Mémoires
Commutation de charge/alimentation pour les appareils portables
• Circuits de convertisseur d'alimentation

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg