MOSFET de puissance 2 canal N Isolé Vishay 1.3 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 TrenchFET Non

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812-3091
Référence fabricant:
SI1922EDH-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.3A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

SC-88

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

263mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

2.2mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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