MOSFET de puissance 2 canal N Isolé Vishay 1.3 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 165-6930
- Référence fabricant:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 165-6930
- Référence fabricant:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SC-88 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 263mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.25W | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 1.35mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SC-88 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 263mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.25W | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 1.35mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.2mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance 2 canal N Isolé Vishay 1.3 A 20 V Enrichissement SC-88 TrenchFET Non
- MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé Vishay 1.1 A 20 V Enrichissement SC-88 TrenchFET Non
- MOSFET canal N Vishay 210 mA 20 V Enrichissement SC-75 TrenchFET
- MOSFET de puissance 2 canal Type P 6 broches, SC-70 TrenchFET Non
- MOSFET P Vishay 12 A 12 V Enrichissement SC-70 TrenchFET
- MOSFET P Vishay -36 A -20 V Enrichissement PowerPAK SC-70 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 3.9 A 30 V Enrichissement SC-88 Si1416EDH
- MOSFET canal N Vishay Siliconix 12 A 60 V Enrichissement SC-70-6L TrenchFET