MOSFET Vishay canal N, SOT-363 1,3 A 20 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 165-6930
- Référence fabricant:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 165-6930
- Référence fabricant:
- SI1922EDH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 1,3 A |
| Tension Drain Source maximum | 20 V |
| Type de boîtier | SOT-363 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 6 |
| Résistance Drain Source maximum | 263 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,25 W |
| Configuration du transistor | Isolé |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 1.35mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 1,6 nC @ 8 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 2.2mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1mm |
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