MOSFET Vishay canal N, SOT-363 850 mA 20 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 188-5029
- Référence fabricant:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,343 €
HT
0,412 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
25 - 225 | 0,343 € | 8,575 € |
250 - 600 | 0,336 € | 8,40 € |
625 - 1225 | 0,258 € | 6,45 € |
1250 - 2475 | 0,202 € | 5,05 € |
2500 + | 0,154 € | 3,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-5029
- Référence fabricant:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET 20 V (D-S) à double canal N pour l'automobile 175 °C.
MOSFET de puissance TrenchFET®
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 850 mA |
Tension Drain Source maximum | 20 V |
Type de boîtier | SOT-363 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 6 |
Résistance Drain Source maximum | 530 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1.5V |
Dissipation de puissance maximum | 1,5 W |
Tension Grille Source maximum | ±12 V |
Nombre d'éléments par circuit | 2 |
Longueur | 2.2mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 0,9 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Largeur | 1.35mm |
Standard automobile | AEC-Q101 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1mm |
Tension directe de la diode | 1.2V |
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