MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 300 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M5

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192-4977
Référence fabricant:
STB45N30M5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Série

MDmesh M5

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.04Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

95nC

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

9.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.37mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie de processus vertical innovante MDmesh TM M5 combinée à la disposition horizontale PowerMESH TM bien connue. Le produit qui en résulte offre une très faible résistance à l'état passant, ce qui le rend particulièrement adapté pour les applications nécessitant une puissance élevée et un rendement supérieur.

RDS(on) extrêmement faible

Faible charge de grille et capacité d'entrée

Excellentes performances de commutation

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