MOSFET de puissance MDmesh II canal N STMicroelectronics 17 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh

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761-0663
Référence fabricant:
STB23NM50N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance MDmesh II

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.19Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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