MOSFET N Vishay 29 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 EF
- Code commande RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,50 € | 22,50 € |
| 25 - 45 | 4,052 € | 20,26 € |
| 50 - 120 | 3,826 € | 19,13 € |
| 125 - 245 | 3,60 € | 18,00 € |
| 250 + | 3,374 € | 16,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | EF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 88mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 53nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 14.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.52mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série EF | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 88mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 53nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 14.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.52mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le SiHP105N60EF-GE3 de Vishay est un transistor MOSFET de puissance série EF avec diode à corps rapide.
Technologie série E de 4e génération
Faible valeur de mérite
Faible capacité efficace
Pertes de conduction et de commutation réduites
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
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