MOSFET de puissance canal N Vishay 29 A 650 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB EF
- Code commande RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
22,50 €
HT
27,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 90 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,50 € | 22,50 € |
| 25 - 45 | 4,052 € | 20,26 € |
| 50 - 120 | 3,826 € | 19,13 € |
| 125 - 245 | 3,60 € | 18,00 € |
| 250 + | 3,374 € | 16,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | EF | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 88mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.52mm | |
| Largeur | 4.65mm | |
| Hauteur | 14.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série EF | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 88mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 53nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.52mm | ||
Largeur 4.65mm | ||
Hauteur 14.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 29 A - SiHP105N60EF-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension conçu pour les fonctions exigeantes de conversion de puissance et de commande dans les systèmes industriels et électroniques. Il s'agit d'un transistor à canal N à mode d'amélioration fourni dans un boîtier TO-220AB à montage traversant, conçu pour gérer des tensions élevées et des courants prolongés tout en fonctionnant sur une large plage de températures.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 650 V permet des applications de commutation haute tension
• La capacité de drainage continu de 29 A prend en charge des courants de charge importants
• La dissipation maximale de 208 W permet une manipulation de puissance élevée
• Rds(on) de 88 mΩ minimise les pertes de conduction dans des conditions nominales
• La charge de grille typique de 53 nC optimise les exigences en matière d'énergie de commutation et d'entraînement
• La tolérance de grille de 30 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• La capacité de drainage continu de 29 A prend en charge des courants de charge importants
• La dissipation maximale de 208 W permet une manipulation de puissance élevée
• Rds(on) de 88 mΩ minimise les pertes de conduction dans des conditions nominales
• La charge de grille typique de 53 nC optimise les exigences en matière d'énergie de commutation et d'entraînement
• La tolérance de grille de 30 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
Applications
• Adapté aux étapes de commutation côté primaire des SMPS
• Idéal pour les sections d'inverseurs d'entraînement de moteur industriels
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. haute tension dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les équipements de test de charge électronique et de puissance
• Utilisé avec des topologies de commutateur discrètes dans la correction du facteur de puissance
• Idéal pour les sections d'inverseurs d'entraînement de moteur industriels
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. haute tension dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les équipements de test de charge électronique et de puissance
• Utilisé avec des topologies de commutateur discrètes dans la correction du facteur de puissance
Quelles extrêmes thermiques peut-il supporter en fonctionnement?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans les environnements à démarrage à froid et les installations à température élevée.
Comment est-il monté et intégré dans une conception de circuit imprimé?
Il utilise un boîtier TO-220AB à trou traversant avec trois broches et une languette de montage pour le dissipateur thermique, ce qui permet une fixation directe de la carte et une gestion thermique via un dissipateur thermique fixé à la languette.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille à observer?
La tension nominale maximale de la porte à la source est de 30 V
les tensions d'entraînement de grille doivent être maintenues dans cette limite et adaptées à la charge de grille typique de 53 nC pour garantir une commutation efficace sans surtension de la grille.
Quelles sont les caractéristiques de tension directe pertinentes pendant la conduction?
La tension directe est de 1,2 V, ce qui permet de calculer la perte de conduction dans les circuits de courant basse tension et d'évaluer les performances de la diode de corps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance canal N Vishay 29 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 18 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement JEDEC TO-220AB EF
- MOSFET de puissance canal N Vishay 6.4 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB E
- MOSFET de puissance canal N Vishay 35 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB E
- MOSFET de puissance canal N Vishay 20 A 800 V JEDEC TO-220AB EF
- MOSFET canal N Vishay 22 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB SIHP
- MOSFET canal N Vishay 35 A 650 V Enrichissement JEDEC TO-220AB SIHP