MOSFET de puissance canal N Vishay 18 A 650 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB EF
- Code commande RS:
- 200-6818
- Référence fabricant:
- SIHP186N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 50 unités)*
90,95 €
HT
109,15 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 900 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,819 € | 90,95 € |
| 100 - 200 | 1,71 € | 85,50 € |
| 250 + | 1,554 € | 77,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6818
- Référence fabricant:
- SIHP186N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | EF | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 193mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.52mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 4.65mm | |
| Hauteur | 14.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série EF | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 193mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.52mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 4.65mm | ||
Hauteur 14.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 18 A - SIHP186N60EF-GE3
Caractéristiques et avantages :
• Le courant continu de 18 A permet une gestion importante de la charge
• Rds(on) de 193 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La dissipation de puissance de 156 W permet une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille de 32 nC facilite un contrôle de commutation efficace
• La tolérance de grille de 30 V permet la compatibilité avec les drivers courants
Applications
• Adapté aux étapes de commutation d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les circuits frontaux d'onduleurs nécessitant des dispositifs 650 V
• Peut être utilisé pour les relais statiques gérant des courants moyens
• Convient à la correction du facteur de puissance et aux systèmes sujets aux interférences électromagnétiques
Quelle est l'approche d'emballage et de montage requise?
Comment se comporte-t-il à des températures extrêmes?
Quelles sont les considérations à prendre en compte pour la commande de grille?
Convient-il à l'électronique automobile?
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