MOSFET de puissance canal N Vishay 8 A 800 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB EF

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Code commande RS:
653-140
Référence fabricant:
SIHP11N80AEF-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Série

EF

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.483Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

78W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 8 A - SIHP11N80AEF-GE3


Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation haute tension conçu pour une utilisation dans les systèmes de conversion et de commande d'alimentation industriels. Il fonctionne comme un transistor à mode d'amélioration à canal N dans un boîtier TO-220AB à trou traversant, ce qui constitue une option pratique pour les ingénieurs qui ont besoin d'un composant discret pour le montage au niveau de la carte et la gestion thermique dans les environnements exigeants.

Caractéristiques et avantages :


• Valeur nominale de drain de 800 V permettant les applications de commutation haute tension • Courant de drain continu de 8 A prenant en charge des courants de charge modérés • Rds(on) de 0,483 Ω réduisant les pertes de conduction sous charge • Dissipation de puissance de 78 W pour une gestion thermique efficace • Charge de grille typique de 27 nC pour une dynamique de commutation prévisible • Température de fonctionnement maximale de 150 °C pour une utilisation à température élevée

Applications


• Convient aux extrémités avant d'entraînement de moteur industriel pour la gestion de la haute tension • Idéal pour les alimentations nécessitant des éléments de commutation haute tension • Utilisé pour les étages d'inverseur dans les systèmes électriques de puissance moyenne • Peut être utilisé pour les circuits de freinage et d'amortisseur dans les équipements d'automatisation

Quelle plage de tension de grille doit-elle être observée pour un fonctionnement sûr?


Le dispositif nécessite des excursions de grille à ±30 V maximum par rapport à sa source pour éviter la surtension de la grille.

Comment le boîtier affecte-t-il la gestion thermique sur une carte occupée?


Le format à trou traversant TO‐220AB permet un dissipateur thermique direct à la languette arrière, améliorant la conduction vers un dissipateur thermique externe et aidant à éliminer 78 W de puissance dissipée sous un refroidissement approprié.

Quelles sont les conditions ambiantes qui limitent son déploiement?


Le composant est spécifié pour fonctionner jusqu'à une température de jonction de -55 °C et jusqu'à 150 °C

la conception thermique du système doit garantir que les températures de jonction restent inférieures à la limite de 150 °C.

Quelle considération de commutation se dégage du chiffre de charge de la grille?


Une charge de grille typique de 27 nC permet aux concepteurs d'estimer les exigences en matière de courant d'entraînement et les pertes de commutation lors de la sélection d'un driver de grille et de la prévision de la temporisation de mise sous/hors tension.

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