MOSFET de puissance 1 canal N Simple Vishay 21 A 600 V, 3 broches, JEDEC TO-220AB EF Non

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Code commande RS:
180-7349
Référence fabricant:
SIHP21N60EF-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Série

EF

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.176Ω

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

84nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

227W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Simple

Longueur

14.4mm

Largeur

10.52mm

Normes/homologations

No

Hauteur

6.71mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le Vishay SIHP21N60EF est un transistor MOSFET de puissance série EF à canal N avec diode de corps rapide ayant une tension de drain à source (Vds) de 600 V et une tension de porte à source (VGS Il est doté d'un boîtier TO-220AB. Il offre une résistance de drain à source (RDS.) de 0,176 ohm à 10 VGS. Courant de drain maximum 21 A.

Transistor MOSFET à diode à corps rapide utilisant la technologie série E.

TRR, QRR et IRRM réduits

Faible valeur de mérite (FOM) : Ron x Qg

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