MOSFET de puissance 1 canal N Simple Vishay 21 A 600 V, 3 broches, JEDEC TO-220AB EF Non
- Code commande RS:
- 180-7768
- Référence fabricant:
- SIHP21N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,99 € | 9,98 € |
| 20 - 48 | 4,505 € | 9,01 € |
| 50 - 98 | 4,235 € | 8,47 € |
| 100 - 198 | 3,995 € | 7,99 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7768
- Référence fabricant:
- SIHP21N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | EF | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.176Ω | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 227W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 10.52mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.71mm | |
| Longueur | 14.4mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série EF | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.176Ω | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 227W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 84nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 10.52mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.71mm | ||
Longueur 14.4mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le Vishay SIHP21N60EF est un transistor MOSFET de puissance série EF à canal N avec diode de corps rapide ayant une tension de drain à source (Vds) de 600 V et une tension de porte à source (VGS Il est doté d'un boîtier TO-220AB. Il offre une résistance de drain à source (RDS.) de 0,176 ohm à 10 VGS. Courant de drain maximum 21 A.
Transistor MOSFET à diode à corps rapide utilisant la technologie série E.
TRR, QRR et IRRM réduits
Faible valeur de mérite (FOM) : Ron x Qg
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