MOSFET de puissance canal N Vishay 13 A 800 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB E
- Code commande RS:
- 210-4991
- Référence fabricant:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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| 250 - 450 | 1,296 € | 64,80 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 210-4991
- Référence fabricant:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Série | E | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 304mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 53nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 9.96mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 4.24mm | |
| Longueur | 27.69mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Série E | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 304mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 53nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 9.96mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 4.24mm | ||
Longueur 27.69mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 800 V, courant de drain continu de 13 A - SIHP15N80AE-GE3
Ce MOSFET de puissance est un dispositif de commutation à canal N haute tension conçu pour le montage traversant dans les circuits de conversion de puissance et de commande. Il fonctionne sur une large plage de températures et est destiné aux applications nécessitant une résistance à une tension élevée, une capacité de courant continu modérée et une commutation en mode d'amélioration pilotée par grille. Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-220AB avec trois broches pour l'installation sur carte ou dissipateur conventionnel.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 800 V permet une commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 13 A permet une transmission de charge soutenue
• La valeur Rds(on) de 304 mΩ minimise les pertes de conduction lors de la commutation
• La dissipation de puissance de 156 W permet une manipulation thermique significative
• La charge de grille totale de 53 nC maintient les exigences d'entraînement de grille prévisibles
• La tolérance grille-source de 30 V permet des marges de tension d'entraînement robustes
• Le courant de drain continu de 13 A permet une transmission de charge soutenue
• La valeur Rds(on) de 304 mΩ minimise les pertes de conduction lors de la commutation
• La dissipation de puissance de 156 W permet une manipulation thermique significative
• La charge de grille totale de 53 nC maintient les exigences d'entraînement de grille prévisibles
• La tolérance grille-source de 30 V permet des marges de tension d'entraînement robustes
Applications
• Adapté aux alimentations haute tension et aux convertisseurs
• Utilisé pour les circuits d'amortissement et de serrage dans les onduleurs industriels
• Idéal pour les étages de puissance à découpage dans les commandes d'éclairage
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de l'entraînement du moteur avec montage traversant
• Utilisé avec les plates-formes de test de laboratoire nécessitant une manipulation de tension élevée
• Utilisé pour les circuits d'amortissement et de serrage dans les onduleurs industriels
• Idéal pour les étages de puissance à découpage dans les commandes d'éclairage
• Peut être utilisé pour les extrémités avant de l'entraînement du moteur avec montage traversant
• Utilisé avec les plates-formes de test de laboratoire nécessitant une manipulation de tension élevée
Quelle plage ambiante peut-il tolérer dans les installations exigeantes?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements froids et à haute température.
Comment le composant est-il monté pour une dissipation thermique efficace?
Le boîtier TO-220AB est conçu pour une fixation traversante et peut être monté sur un dissipateur thermique pour améliorer les performances thermiques.
Quel type de canal et de mode de conduction utilise-t-il?
Le dispositif est un transistor MOSFET à mode d'enrichissement à canal N, nécessitant un entraînement de grille positif pour la conduite.
Quelle caractéristique électrique détermine la chute de tension de commutation?
Le paramètre de tension directe de 1,2 V indique le comportement de la tension de conduction du dispositif pendant le flux de courant direct.
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