MOSFET de puissance canal N Vishay 8.7 A 500 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB D Series

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Code commande RS:
787-9181
Référence fabricant:
SIHP8N50D-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

8.7A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Série

D Series

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.85Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.65mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.51mm

Hauteur

9.01mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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