MOSFET de puissance canal N Vishay 35 A 650 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB E

Code commande RS:: 228-2874
Référence fabricant:: SiHP080N60E-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET de puissance canal N Vishay 35 A 650 V Enrichissement, 3 broches, JEDEC TO-220AB E

Sous-total (50 unités, dans un tube de 50)*

175,20 €

210,25 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 +	3,504 €	175,20 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 228-2874
Référence fabricant:: SiHP080N60E-GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	35A
	Tension Drain Source maximum Vds	650V
	Type de Boitier	JEDEC TO-220AB
	Série	E
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	80mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	227W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	42nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de produit MOSFET de puissance
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 35A
	Tension Drain Source maximum Vds 650V
	Type de Boitier JEDEC TO-220AB
	Série E
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 227W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Transistor MOSFET de puissance série E de Vishay, tension de source de drain de 650 V, courant de drain continu de 35 A - SiHP080N60E-GE3

Ce MOSFET de puissance est un transistor de commutation à canal N haute tension destiné aux applications de puissance à trou traversant nécessitant des performances thermiques et électriques robustes. Il fonctionne dans une large plage ambiante, prend en charge les tâches de commutation avec une charge de grille modérée et se monte dans un boîtier TO-220AB pour un dissipateur thermique et un assemblage simples sur les cartes conventionnelles.

Caractéristiques et avantages :

• La valeur nominale de drain de 650 V permet des applications de commutation haute tension
• La capacité de courant continu de 35 A prend en charge des courants de charge importants
• Rds(on) de 80 mΩ minimise les pertes de conduction pendant le transfert de puissance
• Dissipation maximale de 227 W permettant une gestion de puissance soutenue
• La charge de grille typique de 42 nC fournit une énergie de commutation prévisible
• La tolérance de la grille de ±30 V permet de larges marges de tension d'entraînement

Applications

• Convient aux circuits SMPS et PFC dérivés du secteur
• Idéal pour les étages d'inverseur d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les convertisseurs c.c.-c.c. haute tension dans les télécommunications
• Peut être utilisé pour l'éclairage à découpage et les systèmes de ballast
• Utilisé dans les convertisseurs de charge de batterie et de stockage d'énergie

Quelle plage thermique le dispositif peut-il tolérer dans des environnements difficiles?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet de fonctionner à des températures industrielles extrêmes.

Comment l'appareil est-il destiné à être monté et refroidi?

Le format à trou traversant TO-220AB permet une fixation directe du dissipateur thermique pour une gestion thermique efficace et des conceptions d'alimentation montées sur carte.

Quelles sont les limites d'entraînement de grille à respecter lors de la conception?

La tension de la source de la grille ne doit pas dépasser ±30 V pour éviter la contrainte d'oxyde de grille et garantir une commutation fiable.

Le composant est-il adapté aux tâches de commutation de signaux basse tension?

Sa tension directe de 1,2 V et sa construction axée sur la puissance le rendent optimisé pour la conversion de puissance haute tension plutôt que pour la commutation de signal basse tension.