MOSFET 2 canal N Double Vishay 38 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET Gen IV Non
- Code commande RS:
- 200-6873
- Référence fabricant:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 725,00 €
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2 070,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,575 € | 1 725,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6873
- Référence fabricant:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 38A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3FDC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.01887Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Hauteur | 750μm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 38A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3FDC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.01887Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.3mm | ||
Hauteur 750μm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SIZ250DT-T1-GE3 est un double transistor MOSFET à canal N 60 V (D-S).
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Testé Rg et UIS à 100 %
Le rapport QGS/QGS optimisé améliore la commutation
Caractéristiques
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