MOSFET STMicroelectronics canal N, HiP247 45 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium 650 V STMicroelectronics est doté d'une intensité nominale de 45 A et d'une résistance de drain à source de 45 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.

Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible