MOSFET canal N STMicroelectronics 119 A 650 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCTW90
- Code commande RS:
- 201-0887
- Référence fabricant:
- SCTW90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 201-0887
- Référence fabricant:
- SCTW90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 119A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCTW90 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 2.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 565W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 18V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 157nC | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 119A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCTW90 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 2.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 565W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 18V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 157nC | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 119A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 175 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacités d'entrée
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