MOSFET canal N STMicroelectronics 15 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SiC MOSFET

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201-4468
Référence fabricant:
STF16N90K5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Type de Boitier

TO-220

Série

SiC MOSFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

330mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29.7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

30W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

16mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance K5 MDmesh 15 A à canal N de STMicroelectronics 900 V, 280 mO typ. Dans un boîtier TO-220FP est basé sur une structure verticale propriétaire innovante.

Charge de grille ultra-faible

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

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