MOSFET N STMicroelectronics 2.1 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

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761-0099
Référence fabricant:
STP2NK90Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.1A

Tension Drain Source maximum Vds

900V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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